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碳化硅陶瓷的優(yōu)良特性與制備方法
發(fā)表時(shí)間:2021-12-08?來源:http://m.66c666.com/cjwt/63.html

碳化硅陶瓷的優(yōu)良特性與制備方法
碳化硅陶瓷是以碳化硅原料為主的經(jīng)過各種工藝制成的一種特種陶瓷,下面首先了解下碳化硅陶瓷的優(yōu)良特性: 碳化硅陶瓷主要有抗氧化性、導(dǎo)電性、硬度高、較高的導(dǎo)熱率等。

ü  抗氧化性 碳化硅陶瓷在800-1140度時(shí)抗氧化性較差,在1140-1600度時(shí)抗氧化性非常    好,高于1750度時(shí),氧化膜被破壞,抗氧化性急劇下降。

ü  導(dǎo)電性 純碳化硅是電絕緣體,但是碳化硅陶瓷里面含有各種雜質(zhì),因此具備了一些導(dǎo)電性能。

ü  硬度高 碳化硅陶瓷的硬度性能,是由碳化硅本身決定的,隨著溫度的升高,碳化硅陶瓷的硬度并不下降。

ü   導(dǎo)熱率  在室溫情況下,碳化硅陶瓷的導(dǎo)熱率是相當(dāng)高的。 

在了解了他的優(yōu)良特性后,我們會想,碳化硅陶瓷究竟是如何制備而成的呢,由于碳化硅陶瓷的各種優(yōu)良性能,因此人們非常認(rèn)可碳化硅陶瓷,所以對碳化硅陶瓷的開發(fā)和研制也是非常多的,下面講幾種制備碳化硅陶瓷的方法:
  (1)熱壓碳化硅陶瓷  雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密,但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類:一類與碳化硅中的雜質(zhì)形成液相,通過液相促進(jìn)燒結(jié);一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進(jìn)燒結(jié)。
  (2)常壓碳化硅陶瓷 常壓燒結(jié)碳化硅也命名為無壓燒結(jié)碳化硅,在燒結(jié)到2100度以上的溫度下,生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。
  (3)反應(yīng)碳化硅陶瓷  反應(yīng)燒結(jié)碳化硅又稱為自結(jié)合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右,通過氣相與C反應(yīng)生成。



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